产品概述
单晶硅压力变送器芯片采用超高纯度单晶硅材质，其材质特性优于市场上通用的复合硅、扩散硅材料，芯片采用单晶硅双梁悬浮式技术，结合了硅压阻与硅谐振技术双方特点，并从设计与工艺上做出了创新性优化，实现高精度、高稳定性、低温度影响、超高过压等优异性能，完全适用于工业过程控制、自动化制造、航天航空、汽车与船舶、医疗卫生等多个领域。
产品特点
■ 采用德国进口 MEMS 单晶硅压力芯片
■ 宽量程覆盖
■ 两线制，4～20mA HART® 协议数字通讯
■ 智能 LCD 液晶表头带背光
■ 兼有本地零点、量程调整
■ 品种齐全，精度高，稳定性好
■ 隔爆壳体结构，抗变频干扰能力强
■ 无机械传动部件，坚固抗振
用途及行业
■ 环保污水、石油、化工、船舶、冶金、电力、食品、造纸、医药、机械制造、科学实验和航空军用等行业的过程控制领域
| 技术参数 | |
| 量程范围 | ±6kPa G，±40kPa G，±100kPa G，-100～250kPa G，0～100kPa A，0～250kPa A， -0.1～1MPa G，-0.1～3MPa G，0～10MPa S，0～20MPa S，0～40MPa S |
| 压力类型 | 表压、绝压、密封压 |
| 供电 | 12V～32V，推荐 24V |
| 输出 | 4～20mA+HART 协议 |
| 精度 | ±6kPa：±0.1%FS；其他量程：±0.075%FS （标准量程，25±5℃） |
| 温漂 | ±6kPa：±0.3%FS； 其他量程：±0.25%FS （标准量程，-20～70℃） |
| 环境温度 | -30℃～80℃；带液晶表头-30℃～70℃ |
| 介质温度 | -40℃～104℃ |
| 储存温度 | -30℃～70℃ |
| 绝缘电阻 | ≥200MΩ/250VDC |
| 机械振动 | 20g（20～5000Hz) |
| 冲击 | 100g（11ms） |
| 过载压力 | 见量程选择 |
| 长期稳定性 | ±0.1%FS/年 |
| 防护等级 | IP65 |
| 防爆等级 | Ex d IIC T6 Gb |
| 材质 | 外壳铸铝合金；隔离膜片 316L，钛、HC、钽 |
| 介质兼容 | 与 3 隔离膜片兼容的各种介质 |
| 响应时间 | HART板采集传感器 0.1s；HART板输出 0.5s |
